IBM ve Samsung’un yeni transistör tasarımı, yüksek verimli işlemcileri mümkün kılacak

IBM ve Samsung, IEDM yıllık mikro ve nanoelektronik konferansı sırasında transistörleri bir çip üzerinde dikey olarak yerleştirmek için yeni bir tasarım geliştirdiklerini açıkladılar. Yarı iletken tasarımında bir atılım yaptıklarını söyledikleri Dikey Aktarım Alan Etkili Transistörler’in (VTFET), daha yüksek performans ve gelişmiş güç verimliliği sunduğu belirtiliyor.

Yarı iletkenler VTFET ile daha verimli olacak

Geleneksel tasarımda yarı iletken üzerinde yatay olarak yerleştirilmiş transistörler yer alırken VTFET teknolojisinde transistörler yarı iletken üzerinde dikey olarak yerleştirilecek. Tasarım, elektrik akımının daha hızlı aktarılmasını sağlayacak ve bu durum da performansı iyileştirecek. Ayrıca daha hızlı akışın elde edilmesi enerji verimliliği de sağlayacak.

IBM ve Samsung, geliştirdikleri tasarımın FinFET transistörlerle tasarlanmış yongalardan %85 daha az güç kullanacağını ve performansı iki katına çıkaracağını belirtiyor. Teknoloji devleri, bu sayede akıllı telefonlarda tek şarjla bir haftalık kullanım ömrü sağlanabileceğini söylüyorlar.

IBM ve Samsung, VTFET‘in ne zaman ticarileşeceğine dair bir açıklama yapmadılar.